报告一：半导体制造的“真空底座”：真空装备核心部件制造与关键工艺

报告时间：2026年11月4日（星期三）15:30-16:30

报告地点：格物楼214

报告人：Dennis O'Neill（通嘉科技首席制造技术专家）

工作单位：北京通嘉宏瑞科技股份有限公司

举办单位：机械工程学院

报告简介：半导体产线离不开真空，真空装备的核心部件制造更是高端制造的“隐形战场”。本报告从半导体为什么需要真空讲起，介绍真空泵与真空系统的核心部件、制造流程和关键工艺：精密加工与刀具策略、洁净控制、动平衡与密封、检漏与可靠性测试、批量质量一致性。通嘉科技首席制造技术专家Dennis O'Neill将结合其在Edwards英国、上海、日本十余年的先进制造经验与通嘉科技的产业实践，解析真空装备从核心部件制造到整机可靠性的工程实现与量产挑战。帮助同学们听懂真空装备在半导体中的重要性，看懂核心部件怎么造、难在哪，建立对真空装备制造流程与核心工艺的整体认知。

报告人简介：Dennis O'Neill，全球先进制造与真空装备领域资深专家，现任北京通嘉半导体公司首席制造技术专家。拥有30余年横跨真空装备、航空航天与汽车制造工程履历，曾任职于Edwards英国、上海与日本，担任高级先进制造技术专家。长期深耕先进机械加工与刀具策略、自动化与无人化生产、全球供应商质量开发及工业4.0数字化制造，在中国、日本、韩国成功交付多个国际项目。其职业轨迹兼具欧洲高端制造体系的工程严谨与亚洲制造现场的落地能力，是少数能够贯通精密加工—自动化产线—全球供应链质量—跨文化项目管理的复合型制造领导者。此次他以通嘉首席制造技术专家身份，结合真空设备制造一线实践，分享先进制造与智能制造的全球经验。

报告二：极高真空的获取与应用

报告时间：2026年11月5日（星期四）16:00-17:00

报告地点：格物楼214

报告人：Johannes Stefanski（阿特拉斯科普柯集团离子泵全球产品经理）

工作单位：阿特拉斯科普柯集团

举办单位：机械工程学院

报告简介：超高真空（UHV）是尖端科学研究和先进设备的关键技术。本次报告将介绍超高真空的基本原理，重点讲解决定极限真空的关键因素，如材料放气、系统泄漏、表面吸附和气体负载等。报告还将探讨实现超高真空的关键技术，包括真空系统设计、材料与密封件的选择、烘烤处理、表面处理以及多种真空泵的组合使用。特别强调伽马离子泵的工作原理及其在实现和维持超高真空环境中的作用。此外，报告还将介绍超高真空在粒子加速器、量子技术及其他先进科研设施中的典型应用，从基本原理到系统实现及实际应用，提供系统的全面概述。

报告人简介：Johannes Stefanski，博士，阿特拉斯科普柯集团科学真空部离子泵全球产品经理。负责科学真空产品组合中的离子泵、钛升华泵（TSP）、非蒸散型吸气泵（NEG）以及相关控制器和配件的全球产品管理。

报告三：Enhancing Carrier Mobility in Polycrystalline Ge Thin Films via Solid-Phase Crystallization

报告时间：2026年11月5日（星期四）17:00-18:00

报告地点：格物楼214

报告人：Woong Choi教授

工作单位：韩国国民大学

举办单位：机械工程学院

报告简介：多晶锗薄膜因其优异的载流子迁移率以及适用于低温制备的优势，正逐渐成为下一代电子器件中通道材料的有力候选，尤其在单片三维集成领域具有重要应用前景。在多种结晶技术中，固相结晶（SPC）为将非晶态锗转化为高质量多晶锗薄膜提供了一条高度可行的路径，且可在与后端工艺兼容的热预算范围内实现。本报告重点介绍了通过固相结晶提升多晶锗薄膜载流子迁移率方面的最新进展。系统探讨了影响载流子迁移率的关键因素，包括工艺参数和界面工程。具体分析了晶粒尺寸、晶界特性及缺陷钝化对电学性能的影响，从而提出了全面的迁移率提升策略。研究结果表明，高迁移率的多晶锗薄膜为下一代半导体技术的发展展现出巨大潜力。

报告人简介：Woong Choi，韩国国民大学材料科学与工程系教授。Woong Choi于1993年和1995年分别在首尔国立大学获得陶瓷工程学士和硕士学位，2002年在加州大学伯克利分校获得材料科学与工程博士学位。在加入国民大学教职之前，曾于洛斯阿拉莫斯国家实验室（2003-2006）、应用材料公司（2006-2008）以及三星电子（2008-2012）积累了丰富的科研与产业经验。目前，Woong Choi的研究主要集中在基于二维材料和多晶锗薄膜的半导体材料与器件领域。迄今为止，已发表80余篇科学论文，并拥有12项专利。